ବର୍ତ୍ତମାନ, ଚାଇନାର ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଣାଳୀ ମୁଖ୍ୟତ a ଏକ ଡିସି ସିଷ୍ଟମ୍, ଯାହା ସ ar ର ବ୍ୟାଟେରୀ ଦ୍ ated ାରା ଉତ୍ପାଦିତ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଶକ୍ତି ଚାର୍ଜ କରିବାକୁ ହେବ ଏବଂ ବ୍ୟାଟେରୀ ଭାରକୁ ସିଧାସଳଖ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଇଥାଏ |ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଉତ୍ତର-ପଶ୍ଚିମ ଚାଇନାର ସ ar ର ଘର ଆଲୋକ ବ୍ୟବସ୍ଥା ଏବଂ ଗ୍ରୀଡ୍ ଠାରୁ ବହୁ ଦୂରରେ ଥିବା ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଷ୍ଟେସନ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ବ୍ୟବସ୍ଥା ହେଉଛି ସମସ୍ତ ଡିସି ସିଷ୍ଟମ୍ |ଏହି ପ୍ରକାରର ସିଷ୍ଟମର ଏକ ସରଳ ଗଠନ ଏବଂ କମ୍ ମୂଲ୍ୟ ଅଛି |ଅବଶ୍ୟ, ବିଭିନ୍ନ ଲୋଡ୍ ଡିସି ଭୋଲଟେଜ୍ (ଯେପରିକି 12V, 24V, 48V, ଇତ୍ୟାଦି) ହେତୁ, ସିଷ୍ଟମର ମାନକତା ଏବଂ ସୁସଙ୍ଗତତା ହାସଲ କରିବା କଷ୍ଟକର, ବିଶେଷତ civil ସାଧାରଣ ନାଗରିକ ଶକ୍ତି ପାଇଁ, କାରଣ ଅଧିକାଂଶ ଏସି ଲୋଡ୍ ଡିସି ଶକ୍ତି ସହିତ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ।ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ପାଇଁ ଏକ ଦ୍ରବ୍ୟ ଭାବରେ ବଜାରକୁ ପ୍ରବେଶ କରିବା ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ କରିବା କଷ୍ଟକର |ଏହା ସହିତ, ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ଶେଷରେ ଗ୍ରୀଡ୍-ସଂଯୁକ୍ତ ଅପରେସନ୍ ହାସଲ କରିବ, ଯାହାକି ଏକ ପରିପକ୍ୱ ବଜାର ମଡେଲ୍ ଗ୍ରହଣ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ |ଭବିଷ୍ୟତରେ, ଏସି ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଣାଳୀ ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନର ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତରେ ପରିଣତ ହେବ |
ଇନଭର୍ଟର ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ପାଇଁ ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଣାଳୀର ଆବଶ୍ୟକତା |
ଏସି ପାୱାର ଆଉଟପୁଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ପାୱାର୍ ଜେନେରେସନ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଚାରୋଟି ଅଂଶକୁ ନେଇ ଗଠିତ: ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଆରେ, ଚାର୍ଜ ଏବଂ ଡିସଚାର୍ଜ ନିୟନ୍ତ୍ରକ, ବ୍ୟାଟେରୀ ଏବଂ ଇନଭର୍ଟର (ଗ୍ରୀଡ୍ ସଂଯୁକ୍ତ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଉତ୍ପାଦନ ସିଷ୍ଟମ୍ ସାଧାରଣତ the ବ୍ୟାଟେରୀକୁ ସଞ୍ଚୟ କରିପାରିବ) ଏବଂ ଇନଭର୍ଟର ହେଉଛି ମୁଖ୍ୟ ଉପାଦାନ |ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକର ଇନଭର୍ଟର ପାଇଁ ଅଧିକ ଆବଶ୍ୟକତା ଅଛି:
1. ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଆବଶ୍ୟକ |ବର୍ତ୍ତମାନ ସ ar ର କୋଷଗୁଡ଼ିକର ଅଧିକ ମୂଲ୍ୟ ହେତୁ, ସ ar ର କୋଷଗୁଡିକର ବ୍ୟବହାରକୁ ସର୍ବାଧିକ କରିବା ଏବଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ, ଇନଭର୍ଟରର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବାକୁ ଚେଷ୍ଟା କରିବା ଆବଶ୍ୟକ |
2. ଉଚ୍ଚ ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ଆବଶ୍ୟକ |ବର୍ତ୍ତମାନ, ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଣାଳୀ ମୁଖ୍ୟତ remote ଦୁର୍ଗମ ଅଞ୍ଚଳରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଏବଂ ଅନେକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଷ୍ଟେସନ୍ ଅପହଞ୍ଚ ଏବଂ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ କରାଯାଏ |ଏହା ଇନଭର୍ଟରକୁ ଏକ ଯୁକ୍ତିଯୁକ୍ତ ସର୍କିଟ୍ ଗଠନ, କଠୋର ଉପାଦାନ ଚୟନ ଏବଂ ଇନଭର୍ଟରକୁ ବିଭିନ୍ନ ସୁରକ୍ଷା କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ କରେ ଯେପରିକି ଇନପୁଟ୍ ଡିସି ପୋଲାରିଟି ସଂଯୋଗ ସୁରକ୍ଷା, ଏସି ଆଉଟପୁଟ୍ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ ସୁରକ୍ଷା, ଅତ୍ୟଧିକ ଗରମ, ଓଭରଲୋଡ୍ ସୁରକ୍ଷା ଇତ୍ୟାଦି |
3. ଡିସି ଇନପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ଆଡାପ୍ଟେସନ୍ ରହିବା ଆବଶ୍ୟକ |ଯେହେତୁ ବ୍ୟାଟେରୀର ଟର୍ମିନାଲ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଭାର ଏବଂ ସୂର୍ଯ୍ୟ କିରଣର ତୀବ୍ରତା ସହିତ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ, ଯଦିଓ ବ୍ୟାଟେରୀର ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଉପରେ ବ୍ୟାଟେରୀର ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରଭାବ ରହିଥାଏ, ବ୍ୟାଟେରୀର ଅବଶିଷ୍ଟ କ୍ଷମତା ଏବଂ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପ୍ରତିରୋଧର ପରିବର୍ତ୍ତନ ସହିତ ବ୍ୟାଟେରୀ ଭୋଲଟେଜ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ |ବିଶେଷକରି ଯେତେବେଳେ ବ୍ୟାଟେରୀ ବାର୍ଦ୍ଧକ୍ୟ ହୁଏ, ଏହାର ଟର୍ମିନାଲ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ବଦଳିଥାଏ |ଉଦାହରଣ ସ୍ .ରୁପ, 12 V ବ୍ୟାଟେରୀର ଟର୍ମିନାଲ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ 10 V ରୁ 16 V ମଧ୍ୟରେ ଭିନ୍ନ ହୋଇପାରେ | ଏହା ଏକ ବୃହତ ଡିସିରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ପାଇଁ ଇନଭର୍ଟର ଆବଶ୍ୟକ କରେ ଇନପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପରିସର ମଧ୍ୟରେ ସାଧାରଣ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ନିଶ୍ଚିତ କରନ୍ତୁ ଏବଂ AC ଆଉଟପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ର ସ୍ଥିରତା ନିଶ୍ଚିତ କରନ୍ତୁ |
4. ମଧ୍ୟମ ଏବଂ ବୃହତ କ୍ଷମତା ବିଶିଷ୍ଟ ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଣାଳୀରେ, ଇନଭର୍ଟର ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣର ଫଳାଫଳ କମ୍ ବିକୃତି ସହିତ ଏକ ସାଇନ ତରଙ୍ଗ ହେବା ଉଚିତ |ଏହାର କାରଣ ହେଉଛି ମଧ୍ୟମ ଏବଂ ବୃହତ କ୍ଷମତା ବିଶିଷ୍ଟ ସିଷ୍ଟମରେ, ଯଦି ବର୍ଗ ତରଙ୍ଗ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଆଉଟପୁଟ୍ ଅଧିକ ହାରମୋନିକ୍ ଉପାଦାନ ଧାରଣ କରିବ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ହାରମୋନିକ୍ସ ଅତିରିକ୍ତ କ୍ଷତି ଘଟାଇବ |ଅନେକ ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଣାଳୀ ଯୋଗାଯୋଗ କିମ୍ବା ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଉପକରଣ ସହିତ ଲୋଡ୍ ହୋଇଛି |ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଗ୍ରୀଡ୍ ର ଗୁଣବତ୍ତା ଉପରେ ଯନ୍ତ୍ରପାତିର ଅଧିକ ଆବଶ୍ୟକତା ଅଛି |ଯେତେବେଳେ ମଧ୍ୟମ ଏବଂ ବୃହତ କ୍ଷମତା ବିଶିଷ୍ଟ ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଣାଳୀ ଗ୍ରୀଡ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ସର୍ବସାଧାରଣ ଗ୍ରୀଡ୍ ସହିତ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରଦୂଷଣକୁ ଏଡାଇବା ପାଇଁ, ଏକ ସାଇନ ତରଙ୍ଗ କରେଣ୍ଟ ବାହାର କରିବା ପାଇଁ ଇନଭର୍ଟର ମଧ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକ |
ଇନଭର୍ଟର ସିଧାସଳଖ କରେଣ୍ଟକୁ ବିକଳ୍ପ କରେଣ୍ଟରେ ରୂପାନ୍ତର କରେ |ଯଦି ସିଧାସଳଖ କରେଣ୍ଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ କମ୍, ଏକ ଷ୍ଟାଣ୍ଡାର୍ଡ ବିକଳ୍ପ କରେଣ୍ଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପାଇବା ପାଇଁ ଏହା ଏକ ବିକଳ୍ପ କରେଣ୍ଟ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ଦ୍ୱାରା ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ |ବୃହତ କ୍ଷମତା ବିଶିଷ୍ଟ ଇନଭର୍ଟରଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ, ଉଚ୍ଚ ଡିସି ବସ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଯୋଗୁଁ, ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ କୁ 220V କୁ ବୃଦ୍ଧି କରିବା ପାଇଁ ଏସି ଆଉଟପୁଟ୍ ସାଧାରଣତ a ଏକ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ଆବଶ୍ୟକ କରେ ନାହିଁ |ମଧ୍ୟମ ଏବଂ କ୍ଷୁଦ୍ର କ୍ଷମତା ଇନଭର୍ଟରରେ, ଡିସି ଭୋଲଟେଜ୍ ଅପେକ୍ଷାକୃତ କମ୍, ଯେପରିକି 12V, 24V ପାଇଁ, ଏକ ବୁଷ୍ଟ୍ ସର୍କିଟ୍ ଡିଜାଇନ୍ ହେବା ଜରୁରୀ |ମଧ୍ୟମ ଏବଂ କ୍ଷୁଦ୍ର କ୍ଷମତା ବିଶିଷ୍ଟ ଇନଭର୍ଟରଗୁଡିକ ସାଧାରଣତ push ପୁସ୍-ପଲ୍ ଇନଭର୍ଟର ସର୍କିଟ୍, ଫୁଲ୍ ବ୍ରିଜ୍ ଇନଭର୍ଟର ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ହାଇ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବୁଷ୍ଟ ଇନଭର୍ଟର ସର୍କିଟ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |ପୁସ୍-ପଲ୍ ସର୍କିଟ୍ଗୁଡ଼ିକ ବୁଷ୍ଟ୍ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ନିରପେକ୍ଷ ପ୍ଲଗ୍ କୁ ସକରାତ୍ମକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସହିତ ସଂଯୋଗ କରେ ଏବଂ ଦୁଇଟି ପାୱାର୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ବିକଳ୍ପ କାର୍ଯ୍ୟ, ଆଉଟପୁଟ୍ ଏସି ପାୱାର୍, କାରଣ ପାୱାର ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରଗୁଡ଼ିକ ସାଧାରଣ ଭୂମି ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଡ୍ରାଇଭ୍ ଏବଂ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସର୍କିଟ୍ ଗୁଡିକ ସରଳ, ଏବଂ କାରଣ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଲିକେଜ୍ ଇନ୍ଦୁକାନ୍ସ ଅଛି, ଏହା ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍ କରେଣ୍ଟକୁ ସୀମିତ କରିପାରେ, ଏହିପରି ସର୍କିଟ୍ର ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ |ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ବ୍ୟବହାର କମ୍ ଏବଂ ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଭାର ଧାରଣ କରିବାର କ୍ଷମତା ଖରାପ |
ଫୁଲ୍ ବ୍ରିଜ୍ ଇନଭର୍ଟର ସର୍କିଟ୍ ପୁସ୍-ପଲ୍ ସର୍କିଟ୍ର ଅଭାବକୁ ଦୂର କରେ |ପାୱାର୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଆଉଟପୁଟ୍ ପଲ୍ସ ଓସାରକୁ ସଜାଡିଥାଏ, ଏବଂ ଆଉଟପୁଟ୍ ଏସି ଭୋଲଟେଜ୍ ର ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ମୂଲ୍ୟ ସେହି ଅନୁଯାୟୀ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ |କାରଣ ସର୍କିଟରେ ଏକ ଫ୍ରିୱେଲିଂ ଲୁପ୍ ଅଛି, ଏପରିକି ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଲୋଡ୍ ପାଇଁ, ଆଉଟପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ତରଙ୍ଗଫର୍ମ ବିକୃତ ହେବ ନାହିଁ |ଏହି ସର୍କିଟ୍ର ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଉପର ଏବଂ ତଳ ବାହୁର ପାୱାର ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରଗୁଡ଼ିକ ଭୂମି ଅଂଶୀଦାର କରନ୍ତି ନାହିଁ, ତେଣୁ ଏକ ଉତ୍ସର୍ଗୀକୃତ ଡ୍ରାଇଭ୍ ସର୍କିଟ କିମ୍ବା ଏକ ପୃଥକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ବ୍ୟବହାର କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ |ଏଥିସହ, ଉପର ଏବଂ ତଳ ବ୍ରିଜ୍ ବାହୁର ସାଧାରଣ ଚାଳନାକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ, ଏକ ସର୍କିଟ୍କୁ ବନ୍ଦ କରିବାକୁ ଏବଂ ତା’ପରେ ଟର୍ନ୍ କରିବାକୁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଅର୍ଥାତ୍ ଏକ ମୃତ ସମୟ ସ୍ଥିର କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଏବଂ ସର୍କିଟ୍ ଗଠନ ଅଧିକ ଜଟିଳ |
ପୁସ୍-ପଲ୍ ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ଫୁଲ୍ ବ୍ରିଜ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ଆଉଟପୁଟ୍ ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ଏକ ଷ୍ଟେପ୍ ଅପ୍ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ଯୋଗ କରିବ |ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ବିକାଶ ସହିତ ଷ୍ଟେପ୍ ଅପ୍ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ଆକାର ବଡ଼, ଦକ୍ଷତା କମ୍ ଏବଂ ଅଧିକ ବ୍ୟୟବହୁଳ, ଓଲଟା ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ହାଇ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଷ୍ଟେପ୍ ଅପ୍ ରୂପାନ୍ତର ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଏହା ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା ଇନଭର୍ଟରକୁ ହୃଦୟଙ୍ଗମ କରିପାରିବ |ଏହି ଇନଭର୍ଟର ସର୍କିଟ୍ର ଫ୍ରଣ୍ଟ୍ ଷ୍ଟେଜ୍ ବୁଷ୍ଟ୍ ସର୍କିଟ୍ ପୁସ୍-ପଲ୍ ଗଠନକୁ ଗ୍ରହଣ କରେ, କିନ୍ତୁ କାର୍ଯ୍ୟ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି 20KHz ରୁ ଅଧିକ |ବୁଷ୍ଟ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଚୁମ୍ବକୀୟ ମୂଳ ପଦାର୍ଥ ଗ୍ରହଣ କରେ, ତେଣୁ ଏହା ଆକାରରେ ଛୋଟ ଏବଂ ଓଜନରେ ହାଲୁକା |ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇନଭର୍ସନ୍ ପରେ, ଏହା ଏକ ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ମାଧ୍ୟମରେ ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବିକଳ୍ପ କରେଣ୍ଟରେ ରୂପାନ୍ତରିତ ହୁଏ, ଏବଂ ତା’ପରେ ହାଇ-ଭୋଲଟେଜ୍ ସିଧାସଳଖ କରେଣ୍ଟ (ସାଧାରଣତ 300 300V ରୁ ଅଧିକ) ଏକ ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ରେକ୍ଟିଫାୟର୍ ଫିଲ୍ଟର ସର୍କିଟ ମାଧ୍ୟମରେ ପ୍ରାପ୍ତ ହୁଏ, ଏବଂ ତା’ପରେ a ଦ୍ୱାରା ଓଲଟା ହୋଇଯାଏ | ପାୱାର୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇନଭର୍ଟର ସର୍କିଟ |
ଏହି ସର୍କିଟ୍ ଗଠନ ସହିତ, ଇନଭର୍ଟରର ଶକ୍ତି ବହୁତ ଉନ୍ନତ ହୋଇଛି, ଇନଭର୍ଟରର ନୋ-ଲୋଡ୍ କ୍ଷତି ଅନୁରୂପ ଭାବରେ ହ୍ରାସ ହୁଏ, ଏବଂ ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି ହୁଏ |ସର୍କିଟ୍ର ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ସର୍କିଟ ଜଟିଳ ଏବଂ ଉପରୋକ୍ତ ଦୁଇଟି ସର୍କିଟ ଅପେକ୍ଷା ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା କମ୍ ଅଟେ |
ଇନଭର୍ଟର ସର୍କିଟ୍ର କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସର୍କିଟ୍ |
ଉପରୋକ୍ତ ଇନଭର୍ଟରଗୁଡ଼ିକର ମୁଖ୍ୟ ସର୍କିଟ୍ ଗୁଡିକ ଏକ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସର୍କିଟ୍ ଦ୍ୱାରା ହୃଦୟଙ୍ଗମ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ |ସାଧାରଣତ two, ଦୁଇଟି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପଦ୍ଧତି ଅଛି: ବର୍ଗ ତରଙ୍ଗ ଏବଂ ସକରାତ୍ମକ ଏବଂ ଦୁର୍ବଳ ତରଙ୍ଗ |ବର୍ଗ ତରଙ୍ଗ ଆଉଟପୁଟ୍ ସହିତ ଇନଭର୍ଟର ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସର୍କିଟ୍ ସରଳ, ମୂଲ୍ୟରେ କମ୍, କିନ୍ତୁ ଦକ୍ଷତା କମ୍ ଏବଂ ହାରମୋନିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକରେ ବଡ଼ |।ସାଇନ ତରଙ୍ଗ ଆଉଟପୁଟ୍ ହେଉଛି ଇନଭର୍ଟରର ବିକାଶ ଧାରା |ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ବିକାଶ ସହିତ PWM ଫଙ୍କସନ୍ ସହିତ ମାଇକ୍ରୋପ୍ରୋସେସର୍ ମଧ୍ୟ ବାହାରିଛି |ତେଣୁ, ସାଇନ ତରଙ୍ଗ ଆଉଟପୁଟ୍ ପାଇଁ ଇନଭର୍ଟର ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ପରିପକ୍ୱ ହୋଇଛି |
ବର୍ଗ ତରଙ୍ଗ ଆଉଟପୁଟ୍ ସହିତ ଇନଭର୍ଟରଗୁଡିକ ବର୍ତ୍ତମାନ ପଲ୍ସ-ଓସାର ମୋଡ୍ୟୁଲେସନ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି, ଯେପରିକି SG 3 525, TL 494 ଇତ୍ୟାଦି |ଅଭ୍ୟାସ ପ୍ରମାଣ କରିଛି ଯେ SG3525 ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ବ୍ୟବହାର ଏବଂ ପାୱାର୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ସୁଇଚ୍ ଭାବରେ ପାୱାର୍ FET ର ବ୍ୟବହାର ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ମୂଲ୍ୟ ଇନଭର୍ଟର ହାସଲ କରିପାରିବ |କାରଣ SG3525 ର ସିଧାସଳଖ ଶକ୍ତି FETs କ୍ଷମତା ଚଲାଇବା କ୍ଷମତା ଅଛି ଏବଂ ଏହାର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ରେଫରେନ୍ସ ଉତ୍ସ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ଏବଂ ଅଣ୍ଡରଭୋଲଟେଜ୍ ସୁରକ୍ଷା କାର୍ଯ୍ୟ ଅଛି, ତେଣୁ ଏହାର ପେରିଫେରାଲ୍ ସର୍କିଟ୍ ବହୁତ ସରଳ |
2. ସାଇନ ତରଙ୍ଗ ଆଉଟପୁଟ୍ ସହିତ ଇନଭର୍ଟର କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍, ସାଇନ୍ ତରଙ୍ଗ ଆଉଟପୁଟ୍ ସହିତ ଇନଭର୍ଟରର କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସର୍କିଟ୍ ମାଇକ୍ରୋପ୍ରୋସେସର୍ ଦ୍ୱାରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ, ଯେପରିକି INTEL କର୍ପୋରେସନ୍ ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପାଦିତ 80 C 196 MC ଏବଂ ମୋଟରୋଲା କମ୍ପାନୀ ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପାଦିତ |MI-CRO CHIP କମ୍ପାନୀ ଦ୍ produced ାରା ଉତ୍ପାଦିତ MP 16 ଏବଂ PI C 16 C 73, ଏହି ସିଙ୍ଗଲ୍ ଚିପ୍ କମ୍ପ୍ୟୁଟରଗୁଡିକରେ ଏକାଧିକ PWM ଜେନେରେଟର ଅଛି, ଏବଂ ଉପର ଏବଂ ଉପର ବ୍ରିଜ୍ ବାହୁ ସେଟ୍ କରିପାରିବ |ମୃତ ସମୟ ମଧ୍ୟରେ, ସାଇନ ତରଙ୍ଗ ଆଉଟପୁଟ୍ ସର୍କିଟ, 80 C 196 MC ସାଇନ ୱେଭ ସିଗନାଲ ଉତ୍ପାଦନକୁ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ କରିବା ପାଇଁ INTEL କମ୍ପାନୀର 80 C 196 MC ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ ଏବଂ ଭୋଲଟେଜ ସ୍ଥିରତା ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ AC ଆଉଟପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଚିହ୍ନଟ କରନ୍ତୁ |
ଇନଭର୍ଟରର ମେନ୍ ସର୍କିଟ୍ ରେ ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ଚୟନ |
ର ମୁଖ୍ୟ ଶକ୍ତି ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ପସନ୍ଦ |ଇନଭର୍ଟରବହୁତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |ସମ୍ପ୍ରତି, ସର୍ବାଧିକ ବ୍ୟବହୃତ ଶକ୍ତି ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକରେ ଡାର୍ଲିଙ୍ଗଟନ୍ ପାୱାର ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର (ବିଜୁ), ପାୱାର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର (MOS-F ET), ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର (IGB) ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |ଟି) ଏବଂ ଟର୍ନ୍ ଅଫ୍ ଥାଇରଷ୍ଟର (GTO), ଇତ୍ୟାଦି, କ୍ଷୁଦ୍ର କ୍ଷମତା ବିଶିଷ୍ଟ ଲୋ-ଭୋଲଟେଜ୍ ସିଷ୍ଟମରେ ସର୍ବାଧିକ ବ୍ୟବହୃତ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି MOS FET, କାରଣ MOS FET ର ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ଏବଂ ଅଧିକ IG BT ର ସୁଇଚ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସାଧାରଣତ is | ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ବୃହତ କ୍ଷମତା ପ୍ରଣାଳୀରେ ବ୍ୟବହୃତ |ଏହାର କାରଣ ହେଉଛି, ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ବୃଦ୍ଧି ସହିତ MOS FET ର ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବ increases ିଥାଏ, ଏବଂ ଆଇଜି ବିଟି ମଧ୍ୟମ-କ୍ଷମତା ପ୍ରଣାଳୀରେ ଅଧିକ ସୁବିଧା ଦଖଲ କରୁଥିବାବେଳେ ସୁପର-ବୃହତ କ୍ଷମତା (100 କେଭିଏରୁ ଅଧିକ) ସିଷ୍ଟମରେ ଜିଟିଓ ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଶକ୍ତି ଉପାଦାନ ଭାବରେ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅକ୍ଟୋବର -21-2021 |
